Descriere
Tranzistorul IGBT 1,2kV 50A 190W TO247-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este echipat cu un diod anti-paralel integrat, oferind o protecție suplimentară împotriva supratensiunilor. Cu o putere disipată de 190W, acest dispozitiv poate gestiona cu ușurință sarcini de lucru intensive.
Cu un curent de colector de 50A și o tensiune colector-emițător de 1,2kV, tranzistorul IGBT este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Tensiunea poartă-emițător de ±20V permite o control precis al dispozitivului, în timp ce încărcătura de poartă de 155nC asigură o funcționare stabilă și fiabilă.
Cu un curent de colector pulsant de 75A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale, automotive sau de energie. Montarea în tehnologia THT și carcasa TO247-3 asigură o instalare simplă și o disipare eficientă a căldurii. În concluzie, tranzistorul IGBT de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită performanțe ridicate și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IKW25T120 |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
190W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247-3 |
Caracteristici elemente semiconductoare |
integrated anti-parallel diode |
Curent de colector pulsat |
75A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
50A |
Tensiune colector-emiţător |
1,2kV |
Încărcătură poartă |
155nC |
Tip tranzistor |
IGBT |
Fisiere asociate
Descarcari