Descriere
Tranzistorul STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT 1200V 75A 852W TO247PLUS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere în domeniul electronic. Cu o putere disipată de 852W și caracteristici elemente semiconductoare integrate, acest tranzistor oferă o fiabilitate și eficiență remarcabile.
Subtipul ambalajului în formă de tub și montarea prin orificii de montaj pe componentele electronice fac instalarea acestui tranzistor simplă și convenabilă. Carcasa TO247PLUS asigură o disipare eficientă a căldurii, prevenind supraîncălzirea și protejând dispozitivul de deteriorare prematură.
Cu un curent de colector de 75A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari, în timp ce tensiunea port-emitor de ±20V și tensiunea colector-emitor de 1,2kV asigură un control precis al circuitului. Timpul de activare de 163ns și timpul de dezactivare de 559ns optimizează performanța dispozitivului în aplicațiile cu cerințe ridicate de viteză și precizie.
Încărcătura de poartă de 0,49µC și curentul de colector pulsant de 225A completează profilul acestui tranzistor IGBT, oferind o soluție fiabilă și eficientă pentru diverse aplicații electronice. Fiind produs de STARPOWER SEMICONDUCTOR, acest tranzistor beneficiază de standarde ridicate de calitate și fiabilitate, fiind alegerea ideală pentru proiectele dvs. de inginerie electronică.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
DG75X12T2 |
Producător |
STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
852W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247PLUS |
Caracteristici elemente semiconductoare |
integrated anti-parallel diode |
Curent de colector pulsat |
225A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
75A |
Timp activare |
163ns |
Tensiune colector-emiţător |
1,2kV |
Încărcătură poartă |
0,49µC |
Tip tranzistor |
IGBT |
Timp dezactivare |
559ns |
Fisiere asociate
Descarcari