Categorii
  • Stoc epuizat
IGBT Tranzistor 1200V 75A TO247PLUS | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 1200V 75A TO247PLUS | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Tranzistor 1200V 75A TO247PLUS | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT Tranzistor 1200V 75A TO247PLUS

DG75X12T2
Tranzistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
91,37 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT 1200V 75A 852W TO247PLUS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere în domeniul electronic. Cu o putere disipată de 852W și caracteristici elemente semiconductoare integrate, acest tranzistor oferă o fiabilitate și eficiență remarcabile.

Subtipul ambalajului în formă de tub și montarea prin orificii de montaj pe componentele electronice fac instalarea acestui tranzistor simplă și convenabilă. Carcasa TO247PLUS asigură o disipare eficientă a căldurii, prevenind supraîncălzirea și protejând dispozitivul de deteriorare prematură.

Cu un curent de colector de 75A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari, în timp ce tensiunea port-emitor de ±20V și tensiunea colector-emitor de 1,2kV asigură un control precis al circuitului. Timpul de activare de 163ns și timpul de dezactivare de 559ns optimizează performanța dispozitivului în aplicațiile cu cerințe ridicate de viteză și precizie.

Încărcătura de poartă de 0,49µC și curentul de colector pulsant de 225A completează profilul acestui tranzistor IGBT, oferind o soluție fiabilă și eficientă pentru diverse aplicații electronice. Fiind produs de STARPOWER SEMICONDUCTOR, acest tranzistor beneficiază de standarde ridicate de calitate și fiabilitate, fiind alegerea ideală pentru proiectele dvs. de inginerie electronică.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință DG75X12T2
Producător STARPOWER SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 852W
Montare THT
Carcasă TO247PLUS
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 225A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 75A
Timp activare 163ns
Tensiune colector-emiţător 1,2kV
Încărcătură poartă 0,49µC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 559ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: