Categorii
  • Stoc epuizat
IXBT42N300HV IGBT BiMOSFET 3kV 42A 500W TO268HV Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IXBT42N300HV IGBT BiMOSFET 3kV 42A 500W TO268HV Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IXBT42N300HV IGBT BiMOSFET 3kV 42A 500W TO268HV Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IXBT42N300HV IGBT BiMOSFET 3kV 42A 500W TO268HV Tranzistor

IXBT42N300HV
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
366,67 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

101.88 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 42A 500W TO268HV, IXBT42N300HV este un produs de înaltă calitate, produs de IXYS. Acesta este montat într-un mod SMD și are o carcasă TO268HV, fiind ambalat într-un tub pentru protecție. Tehnologia BiMOSFET™ îi conferă caracteristici de tensiune înaltă, fiind ideal pentru aplicații care necesită o putere disipată de 500W.

Cu un curent de colector de 42A și o tensiune de poartă - emitor de ±20V, acest tranzistor IGBT este potrivit pentru utilizare în diverse aplicații cu cerințe ridicate. Timpul de activare de 652ns și timpul de dezactivare de 950ns asigură o performanță optimă în funcționare. De asemenea, încărcătura de poartă de 200nC și tensiunea colector-emițător de 3kV fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXBT42N300HV
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 500W
Montare SMD
Carcasă TO268HV
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 400A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 42A
Timp activare 652ns
Tensiune colector-emiţător 3kV
Încărcătură poartă 200nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 950ns
Tehnologie BiMOSFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: