Tranzistor IGBT BiMOSFET 1,7kV 24A 250W TO268

Tranzistorul IXBT24N170 este un dispozitiv semiconductiv de înaltă performanță, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Acesta este montat într-un format SMD și are o carcasă TO268, potrivit pentru aplicații de putere. Tehnologia BiMOSFET™ integrată în acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.

Cu caracteristici de tensiune înaltă, acest tranzistor IGBT poate disipa o putere de până la 250W, având un curent de colector de 24A. Cu o tensiune de colector-emițător de 1.7kV, acesta poate gestiona un curent de colector pulsat de 230A. Timpul de activare rapid de 190ns și timpul de dezactivare de 1285ns fac acest tranzistor ideal pentru aplicații de comutare de înaltă frecvență.

Cu o încărcătură de poartă de 0.14µC și o tensiune poartă-emițător de ±20V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații de control și comutare. Fiind ambalat într-un tub de protecție, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ de la IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de putere.