Descriere
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET VISHAY 100V 120A 375W este o soluție avansată pentru aplicații de putere, oferind performanțe excepționale și fiabilitate în condiții solicitante. Proiectat de VISHAY, acest tranzistor beneficiază de tehnologia de tip TrenchFET®, care asigură o eficiență ridicată și o rezistență operativă minimă de 15mΩ, optimizând astfel disiparea căldurii și maximizând eficiența sistemelor electrice.
Cu o capacitate de disipare a puterii de 375W și un curent de drenă de 120A, acest model este ideal pentru aplicații de înaltă putere. Tensiunea drenă-sursă atinge -100V, iar curentul de drenă în impuls poate ajunge la -240A, făcându-l potrivit pentru circuite care necesită gestionarea unor sarcini mari. Montarea se face prin tehnologia THT, utilizând carcasa TO220AB, care asigură o integrare ușoară în diverse configurații de proiectare.
Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la stabilitatea și performanța acestui tranzistor. În plus, încărcătura poartă de 0,19µC și tensiunea poartă-sursă de ±20V facilitează controlul precis al funcționării. Acest tranzistor P-MOSFET este alegerea ideală pentru inginerii care caută soluții eficiente și de încredere pentru aplicații variate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
SUP70101EL-GE3 |
Producător |
VISHAY |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
375W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Curent de drenă în impuls |
-240A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-120A |
Tensiune drenă-sursă |
-100V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
15mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
0,19µC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET |
Tehnologie |
TrenchFET® |