Categorii
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
  • Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns

Tranzistor P-MOSFET IXYS -50V 140A 298W 53ns

IXTP140P05T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
63,92 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor P-MOSFET IXYS -50V 140A 298W 53ns este soluția ideală pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate în condiții de utilizare extreme. Producătorul IXYS oferă un produs de calitate superioară, destinat montării THT, având o carcasă de tip TO220AB care asigură o disipare eficientă a căldurii, cu o putere disipată de până la 298W. Cu un curent drenă impresionant de -140A și o tensiune drenă-sursă de -50V, acest tranzistor P-MOSFET se dovedește a fi extrem de versatil pentru diverse aplicații de putere. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la o performanță optimizată, iar rezistența în timpul funcționării de doar 9mΩ garantează eficiență energetică. Tensiunea poartă-sursă de ±15V și încărcătura poartă de 200nC asigură un control precis al comutării. Timpul de restabilire rapid de 53ns, combinat cu tehnologia avansată TrenchP™, face din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații care necesită rapiditate și precizie. Alege Tranzistorul P-MOSFET IXYS pentru a beneficia de performanțe de vârf și fiabilitate în proiectele tale electronice.
Detalii ale produsului
222 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP140P05T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 298W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -140A
Tensiune drenă-sursă -50V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 200nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 53ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: