Categorii
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns

Tranzistor P-MOSFET IXYS 500V 11A 300W TO247-3 500ns

IXTH11P50
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
96,16 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor P-MOSFET IXYS 500V 11A 300W TO247-3 500ns este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe excepționale în gestionarea energiei. Proiectat de IXYS, acest tranzistor se remarcă prin caracteristici tehnice de vârf, fiind destinat montajului THT, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse circuite electronice.

Carcasa TO247-3 asigură un management termic eficient, având o putere disipată de până la 300W. Cu o polarizare unipolară, acest dispozitiv permite un curent drenă de -11A și o tensiune drenă-sursă de -500V, garantând fiabilitate în condiții de utilizare extreme. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 0,75Ω contribuie la eficiența energetică a sistemului.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 145nC asigură comutare rapidă, cu un timp de restabilire de doar 0,5µs, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită răspuns rapid. Indiferent dacă este utilizat în convertoare, surse de alimentare sau amplificatoare, Tranzistorul P-MOSFET IXYS 500V 11A 300W TO247-3 500ns oferă o soluție robustă și eficientă pentru orice proiect electronic.
Detalii ale produsului
295 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTH11P50
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă -11A
Tensiune drenă-sursă -500V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,75Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 145nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 0,5µs
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: