Categorii
Tranzistor P-MOSFET -100V -18A 83W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -100V -18A 83W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -100V -18A 83W TO220AB

IXTP18P10T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
30,20 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -18A 83W TO220AB de la IXYS este un component electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații. Acest tranzistor vine într-un ambalaj tub, cu montare THT și carcasă TO220AB, oferind o putere disipată impresionantă de 83W. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor are un curent de drenaj de -18A și o tensiune drenaj-sursă de -100V, împreună cu o tensiune poartă-sursă de ±15V.

Rezistența în timpul funcționării a acestui tranzistor este de 0,12Ω, iar subtipul canalului este îmbogățit. Cu o încărcătură de poartă de 39nC, acest tranzistor de tip P-MOSFET oferă un timp de restabilire rapid de 62ns. Tehnologia TrenchP™ folosită în acest dispozitiv asigură performanțe de înaltă calitate și eficiență.

Cu toate aceste caracteristici impresionante, tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -100V -18A 83W TO220AB de la IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate și performanțe superioare.
Detalii ale produsului
142 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP18P10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 83W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -18A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,12Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 39nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 62ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: