Categorii
P-MOSFET Tranzistor -200V -26A 300W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Tranzistor -200V -26A 300W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Tranzistor -200V -26A 300W TO220AB

IXTP26P20P
Tranzistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
59,59 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET PolarP™ unipolar -200V -26A 300W TO220AB de la IXYS este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici impresionante, precum carcasa TO220AB, care permite o montare simplă și sigură într-o varietate de aplicații.

Cu o putere disipată de 300W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare intensitate fără a se supraîncălzi. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de -26A asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de lucru. Tensiunea drenaj-sursă de -200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o gamă largă de aplicații.

Rezistența în timpul funcționării de 0,17Ω și subtipul canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de putere medie și mare. Încărcătura poartă de 56nC și timpul de restabilire de 240ns demonstrează performanțe superioare în condiții de funcționare intense.

Cu tehnologia PolarP™, acest tranzistor oferă o combinație perfectă între eficiență, fiabilitate și durabilitate. Fiind produs de IXYS, unul dintre cei mai renumiți producători de componente electronice, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor P-MOSFET. Optați pentru excelentul Tranzistor P-MOSFET PolarP™ de la IXYS pentru aplicațiile dvs. exigente!
Detalii ale produsului
274 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP26P20P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă -26A
Tensiune drenă-sursă -200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,17Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 56nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 240ns
Tehnologie PolarP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: