Categorii
Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 50A 300W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 50A 300W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 50A 300W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET Unipolar -100V 50A 300W TO247-3

IXTH50P10
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
96,80 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET unipolar -100V -50A 300W TO247-3 180ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Tranzistorul este ambalat într-un tub și poate fi montat cu tehnologia THT. Carcasa TO247-3 îl face ușor de integrat în diferite tipuri de circuite. Cu o putere disipată de 300W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru grele fără probleme.

Polarizarea unipolară și curentul de drenare de -50A îl fac potrivit pentru aplicații de putere medie și ridicată. Tensiunea drenă-sursă de -100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe stricte de tensiune.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 55mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în funcționare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 0,14µC îl face potrivit pentru aplicații sensibile la semnal.

Tranzistorul este un P-MOSFET cu un timp de restabilire rapid de 180ns, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită comutări rapide și precise. Cu Tranzistorul IXYS P-MOSFET, veți obține performanță și fiabilitate de înaltă calitate în aplicațiile dvs. electronice.
Detalii ale produsului
306 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTH50P10
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă -50A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 55mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,14µC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 180ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: