Categorii
Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET TrenchP -200V 68A 568W

IXTT68P20T
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
153,79 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

48.55 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ unipolar -200V -68A 568W TO268, IXTT68P20T este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor SMD se remarcă prin carcasă TO268, perfectă pentru montajul pe placă, și tehnologia inovatoare TrenchP™ care îmbunătățește semnificativ eficiența și fiabilitatea dispozitivului.

Cu o putere disipată impresionantă de 568W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și sigură, în timp ce curentul drenă de -68A și tensiunea drenă-sursă de -200V permit utilizarea într-o varietate de scenarii.

Tensiunea poartă-sursă de ±15V și rezistența în timpul funcționării de 55mΩ contribuie la performanțele excelente ale acestui tranzistor. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 380nC completează caracteristicile sale impresionante.

Cu un timp de restabilire rapid de 245ns, acest tranzistor IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Optați pentru calitate și performanță superioară cu Tranzistorul IXYS P-MOSFET TrenchP™ TO268, IXTT68P20T!
Detalii ale produsului
14 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTT68P20T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 568W
Montare SMD
Carcasă TO268
Polarizare unipolar
Curent drenă -68A
Tensiune drenă-sursă -200V
Tensiune poartă-sursă ±15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 55mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 380nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 245ns
Tehnologie TrenchP™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: