Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G -20V 0,76A 313mW SC89

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G -20V 0,76A 313mW SC89 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și control precis al curentului. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET unipolar dispune de o carcasă compactă SC89, potrivită pentru montare SMD, facilitând integrarea în circuite moderne.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: rolă, bandă


• Putere disipată: 313mW


• Montare: SMD


• Carcasă: SC89


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: -0,76A


• Tensiune drenă-sursă: -20V


• Tensiune poartă-sursă: ±6V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 1Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 2,1nC


• Tip tranzistor: P-MOSFET

Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații ce necesită fiabilitate și performanță în condiții de tensiune și curent moderate, oferind o soluție compactă și eficientă pentru proiectele electronice.