Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTK3139PT1G -20V 0,57A SOT723

NTK3139PT1G
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,57A; 0,45W; SOT723
2,09 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTK3139PT1G -20V 0,57A SOT723 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații cu montare pe suprafață (SMD). Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o tensiune drenă-sursă de -20V și un curent maxim de drenă de -0,57A, asigurând o funcționare stabilă și eficientă.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 0,45W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SOT723

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -0,57A

  • Tensiune drenă-sursă: -20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±6V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 2,2Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: P-MOSFET



Acest tranzistor este potrivit pentru circuite de comutare și amplificare, oferind o soluție compactă și fiabilă datorită carcasei SOT723 și caracteristicilor tehnice avansate. Ambalajul în rolă și bandă facilitează procesul de asamblare automatizată.

Detalii ale produsului
4000 Produse

Fisa tehnica

Referință NTK3139PT1G
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 0,45W
Montare SMD
Carcasă SOT723
Polarizare unipolar
Curent drenă -0,57A
Tensiune drenă-sursă -20V
Tensiune poartă-sursă ±6V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: