Categorii
Etichete
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0,4W; SOT23
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0,4W; SOT23
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0,4W; SOT23

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR1P02T1G -20V 1A SOT23

NTR1P02T1G
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0,4W; SOT23
2,29 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI NTR1P02T1G -20V 1A SOT23 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații cu montare SMD. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o disipare a puterii de 0,4W și un curent maxim de drenă de -1A, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă.



  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 0,4W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SOT23

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -1A

  • Tensiune drenă-sursă: -20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,18Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: P-MOSFET


Datorită carcasei compacte SOT23 și caracteristicilor tehnice avansate, acest tranzistor este potrivit pentru circuite de comutație și amplificare în diverse echipamente electronice. Ambalajul în rolă și bandă facilitează procesul de asamblare automatizată.

Detalii ale produsului
2300 Produse

Fisa tehnica

Referință NTR1P02T1G
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 0,4W
Montare SMD
Carcasă SOT23
Polarizare unipolar
Curent drenă -1A
Tensiune drenă-sursă -20V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,18Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: