Categorii
  • Nou

Tranzistor P-MOSFET VISHAY SIUD401ED-T1-GE3 -30V -0,5A Idm -1A TrenchFET® Unipolar

SIUD401ED-T1-GE3
Tranzistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -0,5A; Idm: -1A
3,18 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistorul P-MOSFET VISHAY SIUD401ED-T1-GE3 este o componentă electronică performantă, proiectată pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat cu tehnologia avansată TrenchFET®, acest tranzistor unipolar oferă o rezistență scăzută în timpul funcționării (3,5Ω) și o capacitate optimă de încărcare a porții (2nC).



  • Producător: VISHAY

  • Tip tranzistor: P-MOSFET

  • Subtip canal: Îmbogățit

  • Putere disipată: 1,25W

  • Curent drenă: -500mA

  • Curent de drenă în impuls: -1A

  • Tensiune drenă-sursă: -30V

  • Tensiune poartă-sursă: ±12V

  • Polarizare: Unipolar

  • Montare: SMD

  • Carcasă: PowerPAK® 0806-3

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă


Acest tranzistor este ideal pentru circuite integrate și module electronice care necesită o soluție compactă și fiabilă, cu performanțe stabile în condiții variate de funcționare. Designul său SMD și carcasa PowerPAK® 0806-3 facilitează integrarea în plăci de circuit imprimat cu spațiu limitat.

Detalii ale produsului
2000 Produse

Fisa tehnica

Referință SIUD401ED-T1-GE3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 1,25W
Montare SMD
Carcasă PowerPAK® 0806-3
Curent de drenă în impuls -1A
Polarizare unipolar
Curent drenă -500mA
Tensiune drenă-sursă -30V
Tensiune poartă-sursă ±12V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 2nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie TrenchFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: