- Nou

Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Tranzistorul P-MOSFET VISHAY SIUD401ED-T1-GE3 este o componentă electronică performantă, proiectată pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat cu tehnologia avansată TrenchFET®, acest tranzistor unipolar oferă o rezistență scăzută în timpul funcționării (3,5Ω) și o capacitate optimă de încărcare a porții (2nC).
Acest tranzistor este ideal pentru circuite integrate și module electronice care necesită o soluție compactă și fiabilă, cu performanțe stabile în condiții variate de funcționare. Designul său SMD și carcasa PowerPAK® 0806-3 facilitează integrarea în plăci de circuit imprimat cu spațiu limitat.
Fisa tehnica
Referință | SIUD401ED-T1-GE3 |
Producător | VISHAY |
Subtip ambalaj | bandă rolă |
Putere disipată | 1,25W |
Montare | SMD |
Carcasă | PowerPAK® 0806-3 |
Curent de drenă în impuls | -1A |
Polarizare | unipolar |
Curent drenă | -500mA |
Tensiune drenă-sursă | -30V |
Tensiune poartă-sursă | ±12V |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 3,5Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Încărcătură poartă | 2nC |
Tip tranzistor | P-MOSFET |
Tehnologie | TrenchFET® |
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Raport trimis
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Recenzia ta nu a putut fi trimisa
check_circle
check_circle