Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FDC638APZ -20V 4,5A 1,6W SuperSOT-6

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FDC638APZ -20V 4,5A 1,6W SuperSOT-6 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și disipare redusă a căldurii. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET utilizează tehnologia PowerTrench® pentru a asigura o rezistență scăzută în timpul funcționării, de doar 72mΩ, și o capacitate de curent de drenă de -4,5A.

Caracteristici principale:

• Producător: ONSEMI


• Tip tranzistor: P-MOSFET


• Tehnologie: PowerTrench®


• Putere disipată: 1,6W


• Curent drenă: -4,5A


• Tensiune drenă-sursă: -20V


• Tensiune poartă-sursă: ±12V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 72mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 12nC


• Polarizare: unipolar


• Montare: SMD


• Carcasă: SuperSOT-6


• Subtip ambalaj: rolă, bandă

Designul compact în carcasă SuperSOT-6 și montarea SMD facilitează integrarea în circuite compacte și moderne, oferind o soluție robustă și fiabilă pentru diverse aplicații electronice. Cod producător: FDC638APZ.