Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,7A; Idm: -3,1A; 0,625W
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,7A; Idm: -3,1A; 0,625W
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,7A; Idm: -3,1A; 0,625W

Tranzistor P-MOSFET ZXMP10A13FQTA 100V 0,7A 0,625W DIODES INCORPORATED

ZXMP10A13FQTA
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0,7A; Idm: -3,1A; 0,625W
5,13 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ZXMP10A13FQTA 100V 0,7A 0,625W DIODES INCORPORATED este un component electronic de înaltă performanță, destinat utilizării în domeniul auto. Fabricat de DIODES INCORPORATED, acest tranzistor P-MOSFET oferă o soluție eficientă pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și control precis al curentului.




  • Producător: DIODES INCORPORATED

  • Tip tranzistor: P-MOSFET

  • Subtip canal: îmbogățit

  • Curent drenă: -700mA

  • Curent de drenă în impuls: -3,1A

  • Tensiune drenă-sursă: -100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistență în timpul funcționării:

  • Putere disipată: 0,625W

  • Polarizare: unipolar

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SOT23

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Utilizare: domeniul auto



Designul compact în carcasă SOT23 și montarea SMD facilitează integrarea în circuite moderne, oferind în același timp o disipare termică eficientă. Tranzistorul ZXMP10A13FQTA este ideal pentru aplicații ce necesită fiabilitate și performanță în condiții exigente.

Detalii ale produsului
3000 Produse

Fisa tehnica

Referință ZXMP10A13FQTA
Producător DIODES INCORPORATED
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 0,625W
Utilizare domeniul auto
Montare SMD
Carcasă SOT23
Curent de drenă în impuls -3,1A
Polarizare unipolar
Curent drenă -700mA
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: