Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5,5A; 1,6W; SuperSOT-6
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5,5A; 1,6W; SuperSOT-6
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5,5A; 1,6W; SuperSOT-6

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FDC602P -20V 5,5A 1,6W SuperSOT-6

FDC602P
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5,5A; 1,6W; SuperSOT-6
7,36 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET ONSEMI FDC602P -20V 5,5A 1,6W SuperSOT-6 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și control precis al curentului. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor P-MOSFET unipolar beneficiază de o carcasă compactă SuperSOT-6, potrivită pentru montare SMD, asigurând o integrare facilă în circuite moderne.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 1,6W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SuperSOT-6

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -5,5A

  • Tensiune drenă-sursă: -20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±12V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 53mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: P-MOSFET



Acest tranzistor este ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă a curentului în circuite cu tensiuni și curenți moderati, oferind o rezistență scăzută în timpul funcționării și o disipare termică optimă. Ambalarea în rolă și bandă facilitează procesul de asamblare automatizată.

Detalii ale produsului
3000 Produse

Fisa tehnica

Referință FDC602P
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 1,6W
Montare SMD
Carcasă SuperSOT-6
Polarizare unipolar
Curent drenă -5,5A
Tensiune drenă-sursă -20V
Tensiune poartă-sursă ±12V
Rezistenţă în timpul funcţionării 53mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
10 produse asociate: