Tranzistor P-MOSFET VISHAY SI9407BDY-T1-E3 -60V, -20A, 2.6A Idm TrenchFET®

Tranzistor P-MOSFET VISHAY SI9407BDY-T1-E3 -60V, -20A, 2.6A Idm TrenchFET® este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor P-MOSFET utilizează tehnologia avansată TrenchFET® pentru a asigura o rezistență redusă în timpul funcționării (0,12Ω) și o disipare a puterii de 3,2W.

• Producător: VISHAY


• Subtip ambalaj: rolă, bandă


• Putere disipată: 3,2W


• Montare: SMD


• Carcasă: SO8


• Curent de drenă în impuls: -20A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: -2,6A


• Tensiune drenă-sursă: -60V


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,12Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 22nC


• Tip tranzistor: P-MOSFET


• Tehnologie: TrenchFET®

Acest tranzistor este potrivit pentru utilizare în circuite de alimentare, comutatoare și alte aplicații electronice ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Montajul SMD și carcasa SO8 facilitează integrarea în design-uri compacte și moderne.