Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8

Tranzistor P-MOSFET INFINEON IRF9310TRPBF -30V 20A 2,5W SO8

IRF9310TRPBF
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8
16,72 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET INFINEON IRF9310TRPBF -30V 20A 2,5W SO8 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și control precis al curentului. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor utilizează tehnologia avansată HEXFET® pentru a asigura o funcționare stabilă și fiabilă.




  • Producător: INFINEON TECHNOLOGIES

  • Subtip ambalaj: rolă

  • Putere disipată: 2,5W

  • Montare: SMD (montare pe suprafață)

  • Carcasă: SO8

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -20A

  • Tensiune drenă-sursă: -30V

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Tip tranzistor: P-MOSFET

  • Tehnologie: HEXFET®



Designul compact în carcasă SO8 și ambalajul pe rolă facilitează integrarea rapidă în circuite electronice moderne, fiind potrivit pentru aplicații industriale, de putere și de control. Performanța ridicată și caracteristicile tehnice fac din IRF9310TRPBF o alegere excelentă pentru proiecte ce necesită un tranzistor P-MOSFET robust și eficient.

Detalii ale produsului
3840 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF9310TRPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj rolă
Putere disipată 2,5W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă -20A
Tensiune drenă-sursă -30V
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
8 produse asociate: