VISHAY Tranzistor P-MOSFET SMD PowerPAK SO8 -30V -156A TrenchFET®

Tranzistorul P-MOSFET VISHAY, echipat cu tehnologia avansată TrenchFET®, oferă performanțe superioare în aplicații de comutație și control al puterii. Carcasa PowerPAK® SO8 și montarea SMD asigură o integrare compactă și eficientă în echipamentele moderne, în timp ce disiparea puterii de 66,6W permite operarea fiabilă chiar și în condiții exigente. Cu un curent de drenă nominal de -156A și un curent de drenă în impuls de până la -400A, acest MOSFET este ideal pentru aplicații ce necesită gestionarea unor curenți mari. Tensiunea maximă între drenă și sursă este de -30V, iar tensiunea poartă-sursă variază între -20 și 16V, oferind flexibilitate în design. Rezistența internă extrem de redusă de 2,65mΩ minimizează pierderile și crește eficiența energetică. Subtipul canalului îmbogățit și polarizarea unipolară asigură o răspuns rapid și stabil în circuite. Încărcătura poartă de 260nC permite un control precis al comutării. Ambalajul disponibil atât în rolă, cât și în bandă facilitează procesul automatizat de asamblare. Acest P-MOSFET VISHAY este soluția ideală pentru proiecte ce impun fiabilitate, performanță și eficiență energetică ridicată.