Categorii
  • NRF52840-DONGLE

Tranzistor P-MOSFET -30V -3.6A 2W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -30V -3.6A 2W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -30V -3.6A 2W SO8

IRF7306TRPBF
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3,6A; 2W; SO8
9,46 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -3,6A 2W SO8 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este fabricat de către INFINEON TECHNOLOGIES, un producător de top din industria electronică. Cu un subtip ambalaj în formă de rolă și montare SMD, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse proiecte.

Carcasa SO8 oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi, asigurând o durabilitate și fiabilitate sporită a dispozitivului. Cu o putere disipată de 2W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de lucru intense, fără a compromite performanța.

Polarizarea unipolară a tranzistorului asigură un control precis al curentului de drenare, în timp ce tensiunea drenă-sursă de -30V îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe de tensiune mai mici. Subtipul canalului îmbogățit și tehnologia HEXFET® garantează o funcționare optimă și eficientă a tranzistorului în diverse scenarii de utilizare.

Cu acest tranzistor P-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES, veți beneficia de performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung pentru proiectele dvs. electronice. Alegeți calitatea și inovația cu acest produs de încredere!
Detalii ale produsului
3642 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF7306TRPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj rolă
Putere disipată 2W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă -3,6A
Tensiune drenă-sursă -30V
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
8 produse asociate: