Categorii
Tranzistor P-MOSFET -20V 8A 2,5W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -20V 8A 2,5W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -20V 8A 2,5W SO8

FDS6375
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2,5W; SO8
8,74 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET unipolar -20V -8A 2,5W SO8 este un component electronic de înaltă calitate, produs de ONSEMI, recunoscut pentru performanța și fiabilitatea sa. Acest tranzistor este disponibil în ambalaj de bandă sau rolă, fiind ideal pentru montare pe suprafete de tip SMD. Cu o putere disipată de 2,5W, acest tranzistor are o polarizare unipolară și poate suporta un curent de drenă de până la -8A și o tensiune drenă-sursă de -20V.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±8V și o rezistență în timpul funcționării de 39mΩ, acest tranzistor îmbogățit este proiectat pentru a oferi performanțe optime în diverse aplicații electronice. Cu o încărcătură de poartă de 36nC, acest tranzistor P-MOSFET este potrivit pentru utilizare în diferite tipuri de circuite.

Cu o tehnologie avansată PowerTrench®, acest tranzistor ONSEMI oferă o combinație perfectă între eficiență energetică și putere de ieșire, fiind soluția ideală pentru proiectele electronice care necesită un tranzistor de calitate superioară. Alegeți tranzistorul ONSEMI P-MOSFET pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung!
Detalii ale produsului
1153 Produse

Fisa tehnica

Referință FDS6375
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 2,5W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă -8A
Tensiune drenă-sursă -20V
Tensiune poartă-sursă ±8V
Rezistenţă în timpul funcţionării 39mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 36nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie PowerTrench®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: