Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -30V -67A 33W DFN5x6 de la ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicații care necesită o putere mare de disipare. Montat în tehnologia SMD, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite configurații de circuite. Carcasa DFN5x6 asigură o dissipare eficientă a căldurii, menținând temperatura optimă de funcționare.
Cu o putere disipată de 33W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o putere mare de manipulare a semnalului. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru aplicații specifice, iar curentul drenă de -67A și tensiunea drenă-sursă de -30V îl fac potrivit pentru aplicații de putere.
Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 3,1mΩ asigură performanțe optime în diverse condiții de funcționare. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 163nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații care necesită o manipulare eficientă a semnalului.
Cu tipul P-MOSFET, acest tranzistor oferă caracteristici superioare de amplificare și comutare, fiind potrivit pentru o varietate de aplicații din domeniul electronicelor. Alege Tranzistorul P-MOSFET de la ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pentru performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
AON6403 |
Producător |
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Putere disipată |
33W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
DFN5x6 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-67A |
Tensiune drenă-sursă |
-30V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
3,1mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
163nC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari