Tranzistorul P-MOSFET unipolar de la MICROCHIP TECHNOLOGY este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor este montat în tehnologia SMD, fiind ușor de integrat în diverse circuite. Carcasa SOT89-3 asigură o dissipare eficientă a căldurii, permițând o putere dissipată de până la 1,6W.
Cu o tensiune drenă-sursă de -100V și un curent de drenă în impuls de -1,5A, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicațiile cu cerințe ridicate. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de mediu.
Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 3,5Ω fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este P-MOSFET, asigurând compatibilitate și eficiență în diverse aplicații.