Categorii
P-MOSFET Unipolar -40V -8.3A 2.9W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • P-MOSFET Unipolar -40V -8.3A 2.9W SO8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

P-MOSFET Unipolar -40V -8.3A 2.9W SO8

SI4401BDY-T1-E3
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8,3A; 2,9W; SO8
14,27 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
VISHAY aduce pe piață Tranzistorul P-MOSFET unipolar cu o tensiune drenă-sursă de -40V și o curent drenă de până la -8,3A, ideal pentru aplicații sensibile la putere. Acest tranzistor de montare SMD în carcasă SO8 are o putere disipată de 2,9W și o polarizare unipolară, oferind rezistență în timpul funcționării de 21mΩ. Subtipul canal este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 55nC. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor P-MOSFET este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice.
Detalii ale produsului
17 Produse

Fisa tehnica

Referință SI4401BDY-E3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 2,9W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă -8,3A
Tensiune drenă-sursă -40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 21mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 55nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: