Descriere
Tranzistorul P-MOSFET TrenchP™ unipolar -85V -24A 83W TO263, fabricat de IXYS, este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită o performanță de înaltă calitate. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO263 și este montat pe suprafață (SMD), ceea ce îl face ușor de integrat în proiectele dvs. electronice.
Cu o putere disipată de 83W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de putere mari. Polarizarea unipolară îl face ideal pentru aplicațiile în care este necesar un control precis al curentului.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 65mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă a energiei. Subtipul canalului îmbogățit și o încărcătură de poartă de 41nC asigură performanțe ridicate și o comutare rapidă.
Acest tranzistor P-MOSFET are o tensiune drenă-sursă de -85V și o tensiune poartă-sursă de ±15V, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Cu un timp de restabilire de doar 40ns și tehnologia TrenchP™, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTA24P085T |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
83W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
TO263 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-24A |
Tensiune drenă-sursă |
-85V |
Tensiune poartă-sursă |
±15V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
65mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
41nC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET |
Timp de restabilire |
40ns |
Tehnologie |
TrenchP™ |
Fisiere asociate
Descarcari