Categorii
Tranzistor P-MOSFET 100V 50A PQFN8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 100V 50A PQFN8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 100V 50A PQFN8

FDMS86163P
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
31,65 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET unipolar -100V -50A 104W PQFN8 este un produs de înaltă performanță, fabricat de ONSEMI, cu o putere disipată de 104W. Acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o polarizare unipolară, cu un curent de drenaj de -50A și o tensiune drenaj-sursă de -100V.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 36mΩ, acest tranzistor oferă o funcționare eficientă și fiabilă. Montarea sa SMD și carcasa PQFN8 îl fac ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Tensiunea poartă-sursă de ±25V și încărcătura poartă de 59nC îl fac potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare.

Tranzistorul ONSEMI P-MOSFET utilizează tehnologia PowerTrench®, ceea ce îl face o alegere excelentă pentru aplicații de putere înalte. Cu un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu acest tranzistor, puteți fi siguri că proiectul dvs. electronic va funcționa la parametri optimi.
Detalii ale produsului
3455 Produse

Fisa tehnica

Referință FDMS86163P
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 104W
Montare SMD
Carcasă PQFN8
Polarizare unipolar
Curent drenă -50A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 36mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 59nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Tehnologie PowerTrench®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: