Categorii
Tranzistor P-MOSFET -500V -8A 180W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -500V -8A 180W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -500V -8A 180W TO268

IXTT8P50
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
78,08 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET unipolar -500V -8A 180W TO268 400ns este un produs de înaltă calitate, cu performanțe excelente și fiabilitate sporită. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice de top, precum subtipul ambalajului în tub, montarea pe suprafață SMD, carcasa TO268 și puterea disipată de 180W. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de -8A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații exigente. Tensiunea drenă-sursă de -500V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării de 1,2Ω și subtipul canalului îmbogățit contribuie la performanțe superioare. Încărcătura poartă de 130nC și tipul P-MOSFET îl fac potrivit pentru diverse aplicații. Timpul de restabilire rapid de 400ns completează lista de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor IXYS.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTT8P50
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 180W
Montare SMD
Carcasă TO268
Polarizare unipolar
Curent drenă -8A
Tensiune drenă-sursă -500V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 130nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 400ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: