Categorii
Tranzistor P-MOSFET -100V 50A 300W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -100V 50A 300W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET -100V 50A 300W TO268 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET -100V 50A 300W TO268

IXTT50P10
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
74,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS P-MOSFET unipolar este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare de disipare și o rezistență redusă în timpul funcționării. Acest dispozitiv are o carcasa TO268 și poate disipa până la 300W de putere. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de -50A, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și eficiente. Tensiunea drenaj-sursă de -100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă în diverse condiții de lucru. Subtipul canalului este îmbogățit, iar timpul de restabilire rapid de 180ns îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare. Cu o rezistență în timpul funcționării de 55mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Ambalat într-un tub și potrivit pentru montare SMD, tranzistorul IXYS P-MOSFET unipolar este soluția perfectă pentru proiectele electronice complexe.
Detalii ale produsului
17 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTT50P10
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare SMD
Carcasă TO268
Polarizare unipolar
Curent drenă -50A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 55mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,14µC
Tip tranzistor P-MOSFET
Timp de restabilire 180ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: