Categorii
Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 890W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 890W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 890W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 120A 890W TO247-3

IXFH120N25T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
84,97 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Transistorul IXYS N-MOSFET unipolar 250V 120A 890W TO247-3 108ns este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o rezistență redusă în timpul funcționării. Acest dispozitiv de semiconductori de înaltă calitate este ideal pentru montajul pe suprafață, având o carcasă TO247-3 care permite o disipare eficientă a căldurii.

Cu o rezistență de doar 23mΩ în timpul funcționării, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicațiile cu curent mare. Polarizarea unipolară și tipul N-MOSFET asigură o funcționare stabilă și eficientă în diverse condiții de lucru. Tensiunea drenă-sursă de 250V și curentul drenă de 120A fac din acest tranzistor o alegere potrivită pentru aplicații de putere medie și mare.

Cu o încărcătură de poartă de 180nC și un timp de restabilire rapid de 108ns, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicațiile cu comutare rapidă. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul IXYS N-MOSFET va asigura o funcționare fiabilă și eficientă.
Detalii ale produsului
7 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFH120N25T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 890W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 250V
Rezistenţă în timpul funcţionării 23mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 180nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 108ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: