Categorii
N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 313W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 313W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 313W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1,2kV 46A 313W Tranzistor

NSF040120L3A0Q
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
179,78 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

55.06 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 160A 313W fabricat de NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice complexe. Acest tranzistor se remarcă prin subtipul ambalajului tub, montarea THT și carcasa TO247-3, oferind o putere disipată impresionantă de 313W. Cu un curent de drenă în impuls de 160A, acest tranzistor este polarizat unipolar și poate suporta un curent de drenă de 46A. Tensiunea drenă-sursă este de 1,2kV, iar tensiunea poartă-sursă variază între -10 și 22V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 60mΩ și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor are o încărcătură poartă de 95nC. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, iar tehnologia utilizată este SiC. Fiabil și performant, tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la NEXPERIA este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice exigente.
Detalii ale produsului
25 Produse

Fisa tehnica

Referință NSF040120L3A0Q
Producător NEXPERIA
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 313W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 160A
Polarizare unipolar
Curent drenă 46A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -10...22V
Rezistenţă în timpul funcţionării 60mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 95nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: