Categorii
N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W Tranzistor

S2M0016120D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
167,26 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

51.92 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 140A Idm: 314A 714W de la SMC DIODE SOLUTIONS este un produs de înaltă calitate ce oferă performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO247AD și poate fi montat prin orificiile THT. Cu o putere disipată de 714W, acesta poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 314A, fiind ideal pentru aplicații care necesită un nivel ridicat de energie. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru diverse tipuri de circuite, iar curentul de drenă de 140A și tensiunea drenă-sursă de 1,2kV îl fac să fie extrem de fiabil și eficient. Rezistența sa în timpul funcționării este de 16mΩ, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, folosind tehnologia SiC pentru performanțe superioare. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 224nC, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică.
Detalii ale produsului
11 Produse

Fisa tehnica

Referință S2M0016120D-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 714W
Montare THT
Carcasă TO247AD
Curent de drenă în impuls 314A
Polarizare unipolar
Curent drenă 140A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 16mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 224nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: