Categorii
Tranzistor N-MOSFET 250V 240A 1250W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 240A 1250W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 240A 1250W TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 240A 1250W TO264

IXFK240N25X3
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
224,32 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

66.22 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 250V 240A 1250W TO264 177ns este un produs de înaltă calitate, cu o putere disipată impresionantă de 1,25kW. Cu caracteristici semiconductoare de clasă superioară ultra junction x-class, acest tranzistor se remarcă prin rezistența sa redusă în timpul funcționării de doar 5mΩ, asigurând o eficiență maximă.

De asemenea, tranzistorul este polarizat unipolar și este echipat cu un subtip canal îmbogățit, oferind performanțe excelente în diverse aplicații. Cu un curent de drenă impresionant de 240A și o tensiune drenă-sursă de 250V, acest tranzistor este potrivit pentru sarcini de putere mari.

Montarea tranzistorului este realizată într-un ambalaj tub TO264, asigurând o disipare eficientă a căldurii pentru a menține temperatura optimă de funcționare. De asemenea, timpul de restabilire rapid de 177ns și încărcătura poartă de 345nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită comutare rapidă și performanțe fiabile.

În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 250V 240A 1250W TO264 177ns este alegerea perfectă pentru cei care caută un produs de calitate superioară și performanțe excelente în domeniul electronicelor de putere.
Detalii ale produsului
12 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFK240N25X3
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,25kW
Montare THT
Carcasă TO264
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Polarizare unipolar
Curent drenă 240A
Tensiune drenă-sursă 250V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 345nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 177ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
5 produse asociate: