Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 1kV 26A 780W TO264 300ns este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe de putere și fiabilitate. Acest tranzistor este fabricat de producătorul de top IXYS și este ambalat într-un tub TO264 pentru o montare ușoară pe placa de circuit. Cu o putere disipată impresionantă de 780W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de curent drenă de până la 26A și tensiuni drenă-sursă de 1kV.
Polarizarea unipolară a acestui tranzistor asigură o performanță optimă în aplicații de putere, iar rezistența sa redusă în timpul funcționării de doar 390mΩ îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de eficiență energetică. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 197nC contribuie la o comutare rapidă și eficientă a tranzistorului.
Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și un timp de restabilire de 300ns, acest tranzistor N-MOSFET beneficiază de tehnologia avansată HiPerFET™, care îmbină performanța superioară cu fiabilitatea pe termen lung. Tehnologia Polar™ utilizată în acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și sigură într-o varietate de aplicații de putere.
În concluzie, tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar 1kV 26A 780W TO264 300ns este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate. Fiind un produs de înaltă calitate, acest tranzistor va satisface cu siguranță cerințele celor mai exigente aplicații electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFK26N100P |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
780W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO264 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
26A |
Tensiune drenă-sursă |
1kV |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
390mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
197nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
300ns |
Tehnologie |
HiPerFET™
Polar™ |
Fisiere asociate
Descarcari