Categorii
N-MOSFET Power Transistor 1kV 21A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Power Transistor 1kV 21A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Power Transistor 1kV 21A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Power Transistor 1kV 21A

APT10050LVFRG
Tranzistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
270,46 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

77.78 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET POWER MOS 5® unipolar 1kV 21A Idm: 84A de la MICROCHIP (MICROSEMI) este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi puterea disipată de 520W, curentul de drenă în impuls de 84A și tensiunea drenă-sursă de 1kV. Cu o polarizare unipolară și rezistență în timpul funcționării de 0,5Ω, acest tranzistor este ideal pentru aplicațiile care necesită performanță și fiabilitate ridicate. Cu o tensiune poartă-sursă de ±30V și o încărcătură poartă de 500nC, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și stabilă. Carcasa TO264 și tehnologia POWER MOS 5® completează pachetul, oferindu-vă un produs de înaltă calitate, potrivit pentru diverse aplicații electronice.
Detalii ale produsului
9 Produse

Fisa tehnica

Referință APT10050LVFRG
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată 520W
Montare THT
Carcasă TO264
Curent de drenă în impuls 84A
Polarizare unipolar
Curent drenă 21A
Tensiune drenă-sursă 1kV
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 500nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie POWER MOS 5®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
5 produse asociate: