Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 26A Idm: 90A 200W, MSC080SMA120B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa inovatoare SiC, care îi conferă o rezistență și o durabilitate deosebită. Carcasa TO247-4 permite o montare ușoară și sigură, iar terminalul Kelvin asigură o conexiune stabilă și precisă.
Cu o putere disipată de 200W, acest tranzistor poate face față fără probleme unor sarcini intense. Curentul de drenă în impuls de 90A și curentul de drenă de 26A îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o performanță ridicată. Polarizarea unipolară și tensiunea drenă-sursă de 1.2kV îl fac potrivit pentru diverse proiecte electronice.
Rezistența sa în timpul funcționării de 0.1Ω îl face extrem de eficient din punct de vedere energetic, iar subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 64nC îl fac ideal pentru aplicații complexe. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 26A Idm: 90A 200W, MSC080SMA120B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) pentru performanță și fiabilitate garantate!
Detalii ale produsului
14 Produse
Fisa tehnica
Referință
MSC080SMA120B4
Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
200W
Montare
THT
Carcasă
TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
90A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
26A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,1Ω
0.1Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
64nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.