Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 28A 143W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 28A 143W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 28A 143W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 700V 28A 143W

MSC060SMA070B4
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
65,65 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 28A Idm: 100A 143W, MSC060SMA070B4 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale utilizatorilor. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici superioare, cum ar fi carcasa TO247-4 durabilă, tehnologia avansată SiC și rezistența redusă în timpul funcționării de doar 75mΩ.

Cu o putere disipată de 143W și un curent de drenă în impuls de 100A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o performanță excelentă și o fiabilitate ridicată. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit asigură o funcționare eficientă și sigură, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 700V permite utilizarea într-o varietate de aplicații.

Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 28A Idm: 100A 143W, MSC060SMA070B4 se distinge prin încărcătura poartă de 56nC și montarea THT, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse proiecte. Cu MICROCHIP (MICROSEMI) ca producător de încredere, puteți avea încredere că acest tranzistor va livra performanțe remarcabile și va satisface așteptările dumneavoastră. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate pentru aplicațiile dumneavoastră electronice și beneficiați de rezultate excelente.
Detalii ale produsului
46 Produse

Fisa tehnica

Referință MSC060SMA070B4
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată 143W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 100A
Polarizare unipolar
Curent drenă 28A
Tensiune drenă-sursă 700V
Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 56nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: