Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 28A Idm: 100A 143W, MSC060SMA070B de la MICROCHIP (MICROSEMI) este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor impresionează cu performanțe remarcabile și fiabilitate superioară.
Producător: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montare: THT
Carcasă: TO247-3
Tehnologie: SiC
Putere disipată: 143W
Curent de drenă în impuls: 100A
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 28A
Tensiune drenă-sursă: 700V
Rezistenţă în timpul funcţionării: 75mΩ
Subtip canal: îmbogățit
Încărcătură poartă: 56nC
Tip tranzistor: N-MOSFET
Cu o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 75mΩ și o putere disipată de 143W, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe excelente într-o varietate de aplicații. Tehnologia SiC asigură o durabilitate sporită și o eficiență energetică superioară.
Indiferent dacă este utilizat în surse de alimentare, convertoare DC-DC sau alte aplicații de putere, Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 700V 28A Idm: 100A 143W, MSC060SMA070B de la MICROCHIP (MICROSEMI) se va ridica la înălțimea așteptărilor dumneavoastră. Alegeți performanța și fiabilitatea pentru proiectele dumneavoastră cu acest tranzistor de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
21 Produse
Fisa tehnica
Referință
MSC060SMA070B
Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
143W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
100A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
28A
Tensiune drenă-sursă
700V
Rezistenţă în timpul funcţionării
75mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
56nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.