Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 73A Idm: 275A 500W, MSC025SMA120B de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere disipată de 500W și un curent de drenă în impuls de 275A, acest tranzistor este ideal pentru sarcini de mare putere. Carcasa TO247-3 și tehnologia SiC asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă în timpul funcționării.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 31mΩ și o tensiune drenă-sursă de 1.2kV, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicații cu cerințe ridicate de tensiune și curent. Subtipul canal îmbogățit și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de comutație de înaltă frecvență.
Cu o încărcătură de poartă de 232nC și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite tipuri de circuite electronice. Fiabilitatea și performanța sa excelentă fac din Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 73A Idm: 275A 500W, MSC025SMA120B de la MICROCHIP (MICROSEMI) alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de înaltă putere.
Detalii ale produsului
30 Produse
Fisa tehnica
Referință
MSC025SMA120B
Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
500W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
275A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
73A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
1.2kV
Rezistenţă în timpul funcţionării
31mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
232nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.