Categorii
Tranzistor N-MOSFET 650V 80A 890W TO-264P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 650V 80A 890W TO-264P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 650V 80A 890W TO-264P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 650V 80A 890W TO-264P

IXFK80N65X2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
189,22 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

57.42 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXFK80N65X2 este un N-MOSFET unipolar puternic, proiectat pentru a satisface cerințele aplicațiilor de putere înalte. Fabricat de către IXYS, acest tranzistor oferă o putere disipată impresionantă de 890W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la 650V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 38mΩ, acest dispozitiv asigură performanțe excelente în aplicațiile cu curent drenă mare de până la 80A. Subtipul canalului îmbogățit și caracteristicile semiconductoare ultra junction x-class fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile de putere critice. Cu o încărcătură poartă de 0.14µC și un timp de restabilire rapid de 200ns, acest tranzistor este perfect pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă. Montat în carcasă TO264P și disponibil într-un tub pentru montare convenabilă, tranzistorul IXFK80N65X2 este soluția ideală pentru proiectele electronice de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
5 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFK80N65X2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 890W
Montare THT
Carcasă TO264P
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Polarizare unipolar
Curent drenă 80A
Tensiune drenă-sursă 650V
Rezistenţă în timpul funcţionării 38mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,14µC
0.14µC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 200ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
5 produse asociate: