Tranzistorul IXFH150N20T este un N-MOSFET unipolar de înaltă performanță, proiectat de IXYS pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest dispozitiv este montat prin găuri tehnologice (THT) și are o carcasă TO247-3, oferind o protecție excelentă împotriva supratensiunilor și supracurentilor. Tranzistorul are un subtip de ambalaj sub formă de tub și este caracterizat ca un tranzistor cu poartă îngropată, ideal pentru aplicații de putere.
Cu o putere disipată impresionantă de 890W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de până la 150A, la o tensiune drenă-sursă de 200V. Rezistența sa în timpul funcționării este de doar 15mΩ, asigurând o eficiență maximă în aplicațiile cu curent mare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 177nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu comutații rapide.
Tranzistorul IXFH150N20T este un component de încredere, cu un timp de restabilire rapid de doar 100ns. Fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică, acest tranzistor N-MOSFET este soluția perfectă pentru aplicațiile de putere de înaltă performanță.