Categorii
Etichete
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z 600V 20A TO220-3

STP5NK60Z
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3,16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
7,90 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistorul N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă în impuls de 20A, acest dispozitiv este ideal pentru circuite de putere și comutare.



  • Producător: STMicroelectronics

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 90W

  • Montare: THT (Through-Hole Technology)

  • Carcasă: TO220-3

  • Curent de drenă în impuls: 20A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 3,16A

  • Tensiune drenă-sursă: 600V

  • Tensiune poartă-sursă: ±30V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 1,6Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 34nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: SuperMesh™


Datorită tehnologiei SuperMesh™, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o disipare termică optimă, fiind potrivit pentru aplicații industriale și electronice de înaltă performanță. Carcasa TO220-3 facilitează montarea THT și asigură o răcire eficientă în condiții de funcționare intensă.


Detalii ale produsului
185 Produse

Fisa tehnica

Referință STP5NK60Z
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 90W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Curent de drenă în impuls 20A
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,16A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,6Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 34nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SuperMesh™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
337 produse asociate: