- Nou

Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Tranzistorul N-MOSFET TK22E10N1 de la TOSHIBA este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și un curent maxim de drenă de 22A, acest dispozitiv asigură o putere disipată de 72W, fiind ideal pentru circuite de putere și comutare.
Carcasa TO220AB și montarea THT facilitează integrarea ușoară în diverse proiecte electronice. Rezistența scăzută în timpul funcționării și încărcătura poartă redusă contribuie la eficiența și performanța optimă a tranzistorului.
Fisa tehnica
Referință | TK22E10N1 |
Producător | TOSHIBA |
Subtip ambalaj | tub |
Putere disipată | 72W |
Montare | THT |
Carcasă | TO220AB |
Polarizare | unipolar |
Curent drenă | 22A |
Tensiune drenă-sursă | 100V |
Tensiune poartă-sursă | ±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 11,5mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Încărcătură poartă | 28nC |
Tip tranzistor | N-MOSFET |
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Raport trimis
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Recenzia ta nu a putut fi trimisa
check_circle
check_circle