Categorii
Etichete
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FCPF11N60F 600V 7A 33A 36W unipolar

FCPF11N60F
Tranzistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
37,81 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FCPF11N60F 600V 7A 33A 36W unipolar este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor beneficiază de tehnologia SJ-MOSFET, asigurând o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 0,38Ω și o capacitate de disipare a puterii de 36W.


  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: tub

  • Putere disipată: 36W

  • Montare: THT

  • Carcasă: TO220FP

  • Curent de drenă în impuls: 33A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 7A

  • Tensiune drenă-sursă: 600V

  • Tensiune poartă-sursă: ±30V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,38Ω

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 52nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: SJ-MOSFET


Carcasa TO220FP și montajul THT facilitează integrarea ușoară în circuite, iar caracteristicile electrice îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce necesită control precis al curentului și tensiunii.
Detalii ale produsului
48 Produse

Fisa tehnica

Referință FCPF11N60F
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 36W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Curent de drenă în impuls 33A
Polarizare unipolar
Curent drenă 7A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,38Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 52nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SJ-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
337 produse asociate: