Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W

Tranzistor N-MOSFET PanJit 100V 120A TO220 THT

PSMP050N10NS2_T0_00601
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
23,92 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PanJit 100V 120A, în carcasă TO220 THT, este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și gestionare eficientă a puterii. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest dispozitiv unipolar cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 100V și un curent continuu de drenă de 120A, asigurând performanță ridicată chiar și în condiții solicitante. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 7mΩ, reduce pierderile și crește eficiența energetică a circuitelor. Puterea disipată de 138W permite utilizarea în aplicații cu încărcări mari, iar curentul de drenă în impuls de 480A face față fără probleme vârfurilor de sarcină. Tensiunea poartă-sursă ±20V și încărcătura poartă de 53nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Ambalajul în tub și montarea prin tehnologia THT, în carcasă TO220ABL, asigură o instalare robustă și fiabilă. Tranzistorul PanJit este alegerea potrivită pentru proiecte industriale, surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce necesită un MOSFET puternic și durabil.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință PSMP050N10NS2-T0
Producător PanJit Semiconductor
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 138W
Montare THT
Carcasă TO220ABL
Curent de drenă în impuls 480A
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 53nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.