Tranzistorul N-MOSFET PanJit 100V 120A, în carcasă TO220 THT, este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și gestionare eficientă a puterii. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest dispozitiv unipolar cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 100V și un curent continuu de drenă de 120A, asigurând performanță ridicată chiar și în condiții solicitante. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 7mΩ, reduce pierderile și crește eficiența energetică a circuitelor. Puterea disipată de 138W permite utilizarea în aplicații cu încărcări mari, iar curentul de drenă în impuls de 480A face față fără probleme vârfurilor de sarcină. Tensiunea poartă-sursă ±20V și încărcătura poartă de 53nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Ambalajul în tub și montarea prin tehnologia THT, în carcasă TO220ABL, asigură o instalare robustă și fiabilă. Tranzistorul PanJit este alegerea potrivită pentru proiecte industriale, surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice ce necesită un MOSFET puternic și durabil.
Detalii ale produsului
30 Produse
Fisa tehnica
Referință
PSMP050N10NS2-T0
Producător
PanJit Semiconductor
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
138W
Montare
THT
Carcasă
TO220ABL
Curent de drenă în impuls
480A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
120A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
53nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.