Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB

Tranzistor N-MOSFET PanJit 600V 20A ITO220AB THT unipolar

PJMF190N60E1_T0_00001
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
24,36 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PanJit 600V 20A în ambalaj ITO220AB THT este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă la tensiuni înalte. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest tranzistor unipolar de tip îmbogățit asigură o putere disipată de până la 38W, fiind capabil să suporte un curent de drenă continuu de 20A și un curent de drenă în impuls de 60A. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, oferă robustețe și fiabilitate în medii solicitante. Rezistența internă redusă în timpul funcționării, de doar 0,19Ω, contribuie la minimizarea pierderilor de putere și creșterea eficienței sistemului. Încărcătura poartă de 40nC permite control precis și rapid al comutării, iar montarea prin tehnologia THT în carcasă ITO220AB facilitează integrarea ușoară în diverse echipamente electronice. Acest N-MOSFET este potrivit pentru circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și drivere motor, oferind performanțe stabile și durabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
27 Produse

Fisa tehnica

Referință PJMF190N60E1-T0
Producător PanJit Semiconductor
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 38W
Montare THT
Carcasă ITO220AB
Curent de drenă în impuls 60A
Polarizare unipolar
Curent drenă 20A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,19Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 40nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.