Tranzistorul N-MOSFET PanJit 600V 20A în ambalaj ITO220AB THT este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă la tensiuni înalte. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest tranzistor unipolar de tip îmbogățit asigură o putere disipată de până la 38W, fiind capabil să suporte un curent de drenă continuu de 20A și un curent de drenă în impuls de 60A. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, oferă robustețe și fiabilitate în medii solicitante. Rezistența internă redusă în timpul funcționării, de doar 0,19Ω, contribuie la minimizarea pierderilor de putere și creșterea eficienței sistemului. Încărcătura poartă de 40nC permite control precis și rapid al comutării, iar montarea prin tehnologia THT în carcasă ITO220AB facilitează integrarea ușoară în diverse echipamente electronice. Acest N-MOSFET este potrivit pentru circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și drivere motor, oferind performanțe stabile și durabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
27 Produse
Fisa tehnica
Referință
PJMF190N60E1-T0
Producător
PanJit Semiconductor
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
38W
Montare
THT
Carcasă
ITO220AB
Curent de drenă în impuls
60A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
20A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,19Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
40nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.