Tranzistorul N-MOSFET INFINEON 250V 66A TO247AC THT 520W unipolar este o soluție performantă și fiabilă pentru aplicații de putere în domeniul electronicii de putere. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest dispozitiv utilizează tehnologia HEXFET® avansată, oferind o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 17,5mΩ, ceea ce asigură eficiență energetică și disipare minimă a căldurii. Carcasa robustă TO247AC și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea în circuite cu putere mare, suportând o putere disipată de până la 520W. Tranzistorul suportă un curent continuu de drenă de 66A și un curent de impuls de 370A, fiind ideal pentru aplicații cu sarcini dinamice ridicate. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 250V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest N-MOSFET îmbogățit asigură control precis și stabilitate în circuitele de comutație. Încărcătura poartă de 180nC contribuie la un răspuns rapid și eficient. Ambalajul în tub permite manipulare și depozitare facilă, făcând acest tranzistor o alegere optimă pentru proiecte industriale, surse de alimentare, motoare electrice și alte aplicații de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
108 Produse
Fisa tehnica
Referință
IRFP4768PBFXKMA1
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
520W
Montare
THT
Carcasă
TO247AC
Curent de drenă în impuls
370A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
66A
Tensiune drenă-sursă
250V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
17,5mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
180nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.