Categorii
  • Nou

Tranzistor N-MOSFET INFINEON 250V 66A TO247AC THT 520W unipolar

IRFP4768PBFXKMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
39,72 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET INFINEON 250V 66A TO247AC THT 520W unipolar este o soluție performantă și fiabilă pentru aplicații de putere în domeniul electronicii de putere. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest dispozitiv utilizează tehnologia HEXFET® avansată, oferind o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 17,5mΩ, ceea ce asigură eficiență energetică și disipare minimă a căldurii. Carcasa robustă TO247AC și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea în circuite cu putere mare, suportând o putere disipată de până la 520W. Tranzistorul suportă un curent continuu de drenă de 66A și un curent de impuls de 370A, fiind ideal pentru aplicații cu sarcini dinamice ridicate. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 250V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest N-MOSFET îmbogățit asigură control precis și stabilitate în circuitele de comutație. Încărcătura poartă de 180nC contribuie la un răspuns rapid și eficient. Ambalajul în tub permite manipulare și depozitare facilă, făcând acest tranzistor o alegere optimă pentru proiecte industriale, surse de alimentare, motoare electrice și alte aplicații de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
108 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFP4768PBFXKMA1
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 520W
Montare THT
Carcasă TO247AC
Curent de drenă în impuls 370A
Polarizare unipolar
Curent drenă 66A
Tensiune drenă-sursă 250V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 17,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 180nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.