Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44,2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44,2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44,2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI 250V 44,2A TO3PN THT

FDA69N25
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44,2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN
41,89 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI 250V 44,2A TO3PN THT este componenta ideală pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate extinsă. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor unipolar cu canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 250V și un curent continuu de drenă de 44,2A, garantând funcționarea stabilă în circuite de putere. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 41mΩ, asigură eficiență crescută și disipare redusă a căldurii. Ambalat în carcasă TO3PN, montarea THT facilitează integrarea ușoară în diverse echipamente industriale și electronice. Suportă un curent de drenă în impuls de până la 276A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, adaptându-se cerințelor dinamice ale circuitelor. Puterea disipată de 480W face din acest N-MOSFET soluția robustă pentru surse de alimentare, convertoare și amplificatoare de putere. Încărcătura poartă de 0,1µC contribuie la comutarea rapidă și eficientă, optimizând performanțele generale ale sistemului. Alegerea perfectă pentru ingineri care caută un tranzistor de înaltă calitate, durabil și performant.
Detalii ale produsului
71 Produse

Fisa tehnica

Referință FDA69N25
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 480W
Montare THT
Carcasă TO3PN
Curent de drenă în impuls 276A
Polarizare unipolar
Curent drenă 44,2A
Tensiune drenă-sursă 250V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 41mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,1µC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.