Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 54A TO247 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 54A TO247 de la SMC DIODE SOLUTIONS este proiectat pentru performanțe superioare în aplicații de înaltă tensiune și curenți mari. Fabricat în tehnologie SiC, acest dispozitiv oferă o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent continuu de drenă de 54A, susținând impulsuri de până la 200A, asigurând astfel o fiabilitate și o durabilitate remarcabile. Cu o rezistență în timpul funcționării de numai 36mΩ, optimizează eficiența energetică și minimizează pierderile. Montajul THT pe carcasă TO247-3 conferă robustețe și ușurință în integrare. Polarizarea unipolară și canalul de tip îmbogățit permit un control precis al curentului, în timp ce tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 18V oferă flexibilitate în proiectare. Cu o putere disipată de 517W și o încărcătură poartă de 175nC, acest tranzistor N-MOSFET este o soluție avansată, ideală pentru aplicații industriale și de putere ridicată, combinând eficiența tehnologiei SiC cu fiabilitatea ambalajului tub TO247.